近日，北京大学在非易失性存储器领域取得突破性进展。电子学院邱晨光-彭练矛团队首次提出“纳米栅超低功耗铁电晶体管”。团队通过优化铁电晶体管器件结构，引入纳米栅极电场汇聚增强效应，研制出可在0.6V超低电压下工作的铁电晶体管，能耗降低至0.45fJ/μm，并且将物理栅长缩减到1纳米极限，为国际上迄今尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管，为构建高性能亚1纳米节点芯片和高算力AI芯片架构提供了更具潜力的新物理机制存储器件。该突破性成果以“Nanogate ferroelectric transistors with ultralow operation voltage of 0.6V”为题，在线�